Hallo, die Runde... (C64-Frage)
Stimmt das so? Ich möchte einen 1024Mbit Baustein für 16k HES Forth Cartridge verwenden. Habe Prommer und .BIN-Datei.
Eine Cartridge für den Expansion Port gibt sich über zwei Leitungen zu erkennen, mit denen eine Cartridge ihren Adressbereich signalisiert: GAME und EXROM. Um 2 x 8k, zwei Bänke, verwenden zu können, muss die Cartridge GAME und EXROM auf 0V ziehen. Extra Elektronik (PLA) bildet auf Grund dieser Einstellung die richtigen Bussignale für das Einblenden des ROM-Adressbereichs von 8000h bis C000h. Dazu wird ROM_L (rom low) für 8000h-9FFFh auf 0 gezogen und ROM_H (rom high) für A000h-BFFFh auf 0V gezogen (Active low logic, die meisten Memory-Bausteine erwarten für Chip Select und Output Enable 0V für 1).
(Für Adressen im Abschnitt C000h-FFFFh sind ROM_L und ROM_H +5V, d.h. der Baustein fühlt sich für diesen Bereich nicht angesprochen. Was gut ist wegen Kernal und I/O.)
Falls das so stimmt, müsste die Cartridge bloß eine simple Adresslogik enthalten, um ROM_L und ROM_H nach Active Low-Logik zu verodern, was der zitierte Gentleman Electronicist mit zwei Dioden erledigt, auch wenn dieses Detail in der Originalschaltung unter anderen Details versteckt ist:
Die Dioden bedienen an ihrer Plus-Seite die beiden ROM-Baustein-Anschlüsse Chip Select und Output Enable. Um den Chip anzusprechen, zieht die PLA ROM_L oder ROM_H auf 0V; ansonsten sind 'CS und 'OE über die Widerstände +5V.
So einfach ist das, wenn ich mich nicht irre. Richtig? Hat jemand diese Konstruktion schon erfolgreich hinter sich?
Gentleman Electronicist: http://www.savel.org/2020/03/2…ent-page-1/#comment-13205
bzw.: http://www.vabolis.lt/stuff/20200210a1.png
DANKE FÜR DIE AUFMERKSAMKEIT